RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3987
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link