RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3784
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link