RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3683
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link