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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 49
    左右 -96% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 19.0
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3683

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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内存RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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