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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
14.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
4005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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