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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.3
16.5
写入速度,GB/s
9.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3414
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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