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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.3
16.5
写入速度,GB/s
9.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3414
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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