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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
62
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
62
读取速度,GB/s
14.9
17.2
写入速度,GB/s
9.6
9.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2107
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
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