RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3126
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link