RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2126
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link