Porównanie pamięci RAM Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 49

Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.2 10

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.1 8.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2116 3498

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns