RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
51
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2387
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link