RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2892
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link