RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2892
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link