RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2732
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link