RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2732
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link