RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
8.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2094
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link