RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
33
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
17
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3714
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link