RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3110
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link