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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
49
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3110
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Inmos + 256MB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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