RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
50
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2064
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link