RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
50
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.2
10
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
50
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2064
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link