RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2889
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link