RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
49
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2889
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link