RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
56
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2781
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link