RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3223
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link