RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3223
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link