RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3805
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link