RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3936
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link