RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3936
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C11-8GAR 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link