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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
26
周辺 15% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
20.2
17.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.1
12.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
26
読み出し速度、GB/s
17.7
20.2
書き込み速度、GB/秒
12.7
16.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3936
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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