RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3409
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link