RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3518
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link