RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3518
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link