Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.7 7.6

Среднее значение в тестах

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 49

Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.7 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 14.7
Скорость записи, Гб/сек

8.7 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 21300

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2427 2169

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB

Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

Kingston 9905700-072.A01G 16GB

модули RAM