RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link