RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link