RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2316
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link