RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2190
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link