RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3226
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link