RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3153
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link