RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
92
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
75
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1548
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link