RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
75
92
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
75
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1548
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link