RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
75
92
Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
75
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1548
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link