RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3503
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link