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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
17.2
写入速度,GB/s
7.3
13.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3503
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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