RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2751
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link