RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3222
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link