RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3901
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link