RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3537
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link