RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3537
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link