RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4039
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link