RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4276
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link